本報上海4月20日電（記者顏維琦）“在一眨眼的時(shí)間內，超級閃存已經(jīng)工作10億次，而原來(lái)的U盤(pán)只能工作1000次。相當于光在走了12厘米的時(shí)間里，幾千個(gè)電子已經(jīng)儲存完畢?！苯?，復旦大學(xué)周鵬、劉春森團隊成功研制“破曉（PoX）”皮秒（1皮秒為1萬(wàn)億分之一秒）閃存器件，擦寫(xiě)速度達到亞1納秒（400皮秒），是人類(lèi)目前掌握的最快半導體電荷存儲器件。相關(guān)成果發(fā)表于國際期刊《自然》。

　　從遠古時(shí)代結繩記事開(kāi)始，人類(lèi)對信息存儲速度的追求從未止步。隨著(zhù)科技不斷發(fā)展，電荷被證明是最佳存儲媒介，能夠以驚人的速度和卓越的可靠性承載海量數據，為信息時(shí)代的繁榮奠定堅實(shí)基礎。然而，隨著(zhù)人工智能時(shí)代到來(lái)，計算范式正從傳統的邏輯運算逐漸轉向數據驅動(dòng)，現有的分級存儲架構難以滿(mǎn)足計算芯片對極高算力和能效的需求，亟須存儲技術(shù)的突破來(lái)實(shí)現變革。針對AI（人工智能）計算所需的算力與能效要求，信息存取速度直接決定了算力上限，非易失性存儲技術(shù)成為實(shí)現超低功耗的關(guān)鍵。因此，破局在于解決集成電路領(lǐng)域最為關(guān)鍵的基礎科學(xué)問(wèn)題：信息的非易失存取速度極限。

　　據了解，目前速度最快的存儲器均為易失性存儲器，例如靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM）。這類(lèi)存儲器的速度極限約為3T（即晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的三倍，低于1納秒，1納秒為十億分之一秒），代表了當今信息存取速度的最高水平。然而，其斷電后數據丟失的特性限制了其在低功耗場(chǎng)景下的應用。相比之下，以閃存（Flash）為代表的非易失性存儲器雖然具備極低功耗優(yōu)勢，但由于其電場(chǎng)輔助編程速度遠低于晶體管開(kāi)關(guān)速度，難以滿(mǎn)足AI計算對數據極高速存取的需求。

　　周鵬、劉春森團隊基于器件物理機制的創(chuàng )新，持續推進(jìn)高速非易失性閃存技術(shù)的研發(fā)。團隊構建相關(guān)模型，據此研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其性能超越同技術(shù)節點(diǎn)下世界最快的易失性存儲SRAM技術(shù)，意味著(zhù)現有存儲技術(shù)邊界被重新定義。

　　業(yè)內專(zhuān)家分析，閃存作為性?xún)r(jià)比最高、應用最廣泛的存儲器，一直是國際科技巨頭技術(shù)布局的基石。復旦大學(xué)團隊研發(fā)的突破性高速非易失閃存技術(shù)不僅有望改變全球存儲技術(shù)格局，進(jìn)而推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級并催生全新應用場(chǎng)景，也將為我國在相關(guān)領(lǐng)域實(shí)現技術(shù)引領(lǐng)提供有力支撐。